technologie de gravure
un champ magnétique spécialement conçu qui entoure uniformément le système d'échantillon
Excellente homogénéité de la gravure
Bonne diffraction
Force de gravure réglable
Les modules gravés ne nécessitent aucun entretien.

Placage ionique par arc (AIP)
Taux d'ionisation élevé
Haute densité
Taux de dépôt élevé
De nombreuses microparticules
Surface rugueuse

cathode intégrée G4
Taux d'ionisation élevé
Haute densité
Taux de dépôt élevé
Surface lisse, sans microparticules
Faible contrainte résiduelle

Pulvérisation magnétronique (MS)
Surface lisse, sans microparticules
Faible contrainte résiduelle
faible taux de dépôt
faible taux d'ionisation
Technologie de revêtement PECVD
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est un procédé permettant de déposer des revêtements en alliage diamant amorphe extrêmement lisses et adhérents sous vide poussé. Contrairement aux procédés PVD, le PECVD utilise des alimentations à forte puissance, ne nécessite pas de cible cathodique et la pièce à usiner n'a pas besoin de tourner dans la chambre du four. Ce procédé est propre, non polluant, fiable et multifonctionnel.
● Matériel simple, aucune source d'ionisation supplémentaire requise
● Conception de champ magnétique composite, augmentant le taux d'ionisation
● Vitesse de dépôt élevée > 1 µm/h
● Température de dépôt basse
● Surface lisse, sans contamination par de grosses microparticules
● Produits de nettoyage au plasma, sans entretien

Simulation d'un champ magnétique fermé hors d'équilibre

Plasma à haute densité

Produits de nettoyage au plasma
PECVD (pour aC:H)
Compte tenu des exigences en matière de résistance à l'usure, de lubrification, de résistance à la corrosion et de haute adhérence des pièces, le revêtement DLC est conçu structurellement selon le concept de structure multicouche, de transition graduelle et de composite d'interface.

Structure du revêtement DLC

Épaisseur 2-4 μm (selon les exigences)


HD500