Semi-conducteur

Revêtement plasma dans l'industrie des semi-conducteurs

Cas client

Les milieux de gravure généralement utilisés sont le CF4, le SF6, l'O2, le Cl2, le HBr et d'autres gaz corrosifs, qui corrodent fortement les pièces en mouvement dans la chambre. En particulier, lorsque ces gaz se vaporisent en plasma haute densité, un grand nombre de microparticules sont produites à la surface des alliages d'aluminium, du quartz, de la céramique et d'autres composants, en raison du bombardement et de l'érosion induits par le plasma. Ces particules libérées affectent considérablement la qualité et le rendement des pièces essentielles, et provoquent des défauts sur la plaquette, réduisant ainsi drastiquement sa durée de vie. Par ailleurs, le revêtement d'oxyde présente une bonne stabilité à haute température et une résistance thermique élevée, même dans des environnements difficiles.

Le dépôt d'une couche d'oxyde sur la surface interne de la chambre de gravure permet de prévenir efficacement la formation de microparticules et de protéger la plaquette de silicium de toute contamination. Le cycle de maintenance de la chambre de gravure passe ainsi de 15 jours à 6 mois.